据BusinessKorea报道，三星电子将在今年内发布236层NAND闪存产品此外，它计划在本月开设一个新的R&D中心，负责开发更先进的NAND闪存产品
目前存储芯片厂商都在竞相增加产品层数SK海力士最近完成了238层产品的开发，美光科技宣布开发出全球首款232层NAND闪存产品
在NAND闪存市场，三星电子的市场份额占35%，全球最高可是，三星电子目前的地板记录只有176韩媒指出，三星凭借其生产技术和在价格和性能上的竞争力，准备将其增加60层
外媒披露，SK海力士正在研发的UFS 4.0闪存的数据处理速度:连续读取4000 MB/s，连续写入2800 MB/s，外观为11×13×0.8mm..单从速度来看，目前的曝光速度可能只有V7 NAND配备。
相比之下，三星5月4日推出的UFS 4.0的闪存采用176层NAND，连续读取4200 MB/s，连续写入2800 MB/s，外形规格为11× 13× 1 mm
消息称SK海力士正在研发基于238层NAND的UFS4.0闪存，预计明年上半年量产
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